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memoria dinamica ad accesso casuale sincrona e potenziata
(Enhanced SDRAM)
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Un sistema inventato dalla società americana Enhanced Memory System per
ridurre la latenza di accesso alla memoria centrale, cioè il tempo che
intercorre tra quando i dati vengono richiesti e quando questi diventano
effettivamente disponibili sui piedini di uscita della memoria. Consiste
nel montare allÆinterno dei chip di SDRAM (memoria dinamica sincrona)
alcune veloci cache costruite con tecnologia SRAM (memoria statica). Il
chip risultante può funzionare a 100 e 133 MHz con un tempo di ciclo di
37,5 nanosecondi contro i 72 nanosecondi tipici di una SDRAM (il tempo di
ciclo misura il tempo che intercorre tra unÆoperazione di lettura in
memoria e la successiva).
Il componente può anche reggere trasferimenti continuati di bit alla
frequenza di 133 MHz con una velocità di 900 MByte al secondo. La ESDRAM
rende al meglio in un contesto multitasking, come nei server e nelle
workstation di fascia alta, dove la memoria deve rispondere a diverse
richieste contemporaneamente. Si tratta di una tecnologia proprietaria e
perciò può essere utilizzata solo con il consenso di Enhanced Memory
Systems. La prima a utilizzarla è stata Digital Equipment sulle
workstation Alpha. Vedi anche CacheRAM e VCM.
Come nel caso della memoria VCM, la cache viene utilizzata per contenere
una copia del registro di riga, indispensabile per accedere alle
informazioni contenute in memoria.
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